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micron_dram.md

File metadata and controls

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Micron DRAM PN 编码资料

采集日期：2026-05-15

资料来源

iTXTech fdnext DecodePack 范围

  • 主线 DRAM 规则文件：packages/core/src/decodepack/rules/packs/micron-dram-token.json
  • Stacked / specialty DRAM 规则文件：packages/core/src/decodepack/rules/packs/micron-hbm-token.json、packages/core/src/decodepack/rules/packs/micron-hmc-token.json
  • 规则 ID：vendor.micron.dram.component.v1
  • 首批覆盖：DDR/SDR/LPDDR/GDDR 主线 component PN，包括 Micron catalog MT40/41/42/46/47/48/51/52/53/58/60/61/62/68、Crucial namespace CT40/41/42/46/47/48/51/52/53/58/60/61/62/68，以及 Micron legacy Elpida namespace ED/EE + 40/41/42/44/46/47/48/49/51/52/53/58/60/61/62/68。
  • Stacked / specialty 覆盖见 micron_hbm.md 和 micron_hmc.md：当前加入 Micron HBM2E MT54A... 与 HMC MT43A...，用于修正这类 PN 被 fallback 误判为 raw NAND 的问题。
  • 不使用完整 PN 白名单；只按 Micron DRAM part-numbering token 解析字段。

搜索资源

  • packages/core/resources/dram-pn.json 收录已知 Micron / Crucial DRAM PN，用于 searchParts() PN 补全，不是解码依据。
  • pnpm fdbgen:crawl-mdb 默认按 Micron FBGA prefix profile 生成候选，通过 Micron 官方 FBGA decoder API 写入统一 packages/core/resources/mdb.json。当前默认 profile 包括 C9/D8/D9/Z8/Z9 后三位字母网格，以及 NC/NW/NY/NX/NQ/NV 数字段；--codes 补充输入按前缀路由，命中 Micron profile 的 code 走 Micron API，P* code 走 SpecTek。
  • packages/core/resources/mdb.json 收录官方 API 返回且通过 DRAM family 过滤的 FBGA code 到完整 PN 映射，例如 C9BJZ -> CT40A1G8SA-62M:E。它用于 searchParts() code 查询，以及 decodePart({ query: "C9BJZ" }) 这类 code 输入时先反查 PN 再走 iTXTech fdnext DecodePack。
  • 资源导入时只保留最小索引字段：DRAM PN 表为 vendor/pn，FBGA code 反查统一来自 mdb.json 的 code -> PN 映射。真正输出的 density、package、dram_type、dram_die_stack 等字段仍由 iTXTech fdnext DecodePack token 解析。
  • mdb.json 中有大量带冒号 revision 的 DRAM PN，例如 D8BBF -> MT53E128M32D2FW-046 IT:A、D9WCR -> MT61K256M32JE-12:A、D8FHL -> MT68A512M32DF-28:A、D8BCJ -> MT62F512M32D2DS-031 AAT:B。PN 补全和 decode classification 支持用户省略冒号查询，并回到带冒号的官方 PN 展示。

PN 结构

典型结构：

(MT|CT) + family + voltage + component configuration + device version + package code + -speed + -temperature + production status + :/ -revision

CT 前缀来自 Crucial / Ballistix namespace，后续 token 仍沿用 Micron DRAM 结构解析。输出保留原始 CT... PN，不强行改写为 MT...，因为 Crucial 的 speed/bin token 不一定与公开 MT... catalog token 一一对应。

首批 family token：

Token 产品线 输出
40 DDR4 SDRAM dram_type=DDR4
41 DDR3 SDRAM dram_type=DDR3
42 Mobile LPDDR2 dram_type=LPDDR2
43A HMC / HMC Gen2 dram_type=HMC，详见 micron_hmc.md
44 RLDRAM 3 dram_type=RLDRAM 3
46 DDR SDRAM / Mobile LPDDR 默认 dram_type=DDR，H/HC voltage token 细化为 LPDDR
47 DDR2 SDRAM dram_type=DDR2
48 SDRAM / Mobile LPSDR 默认 dram_type=SDR，H voltage token 细化为 LPSDR
49 RLDRAM 1/2 dram_type=RLDRAM
51 GDDR5 dram_type=GDDR5
52 Mobile LPDDR3 / DDR3L Mobile 默认 dram_type=LPDDR3，K voltage token 细化为 DDR3
53 Mobile LPDDR4 / LPDDR4X 默认 dram_type=LPDDR4，D/E voltage token 细化为 LPDDR4X
54 HBM2E dram_type=HBM2E，详见 micron_hbm.md
58 GDDR5 / GDDR5X 默认 dram_type=GDDR5X，GDDR5 speed bin 可细化为 GDDR5
60 DDR5 SDRAM dram_type=DDR5
61 GDDR6 / GDDR6X 默认 dram_type=GDDR6，部分 speed bin 细化为 GDDR6X
62 Mobile LPDDR5 / LPDDR5X 默认 dram_type=LPDDR5，020/020F/023 等 LPDDR5X speed bin 细化为 LPDDR5X
68 GDDR7 dram_type=GDDR7

输出约定

  • fields.density 使用项目统一 Mbit 单位，由 component configuration 的 depth x width 推导，例如 1G8 输出 8192。
  • fields.device_width 输出组织位宽，例如 1G32 输出 x32。
  • fields.voltage 输出 Micron voltage token 对应说明。
  • fields.package 输出实际封装，例如 78-ball FBGA (7.5x11)；仅对 part detail、datasheet 或外部分销页可确认的 family + package code 组合输出。
  • standalone DRAM 的 fields 避免重复顶层输出：不再输出 product_family、product_version、dram_density、dram_width。
  • fields 使用跨厂商 DRAM canonical key：dram_type、dram_die_stack、die_count、dram_speed、operation_temperature、die_revision、special_option。
  • device version 先按 family scope 匹配，避免 DA/DE/LF 等 token 与 package code 冲突；D1/D2/D3/D4/D6/D8/DA/DB/DC/DD/DE/LF/L2/L4 只标准化为 die_count，例如 D4 输出 die_count=4；LG 额外输出 special_option = Reduced page-size addressing，DD/DE 保留官方 LPDDR4 mixed die stack 描述；没有 CS 资料时不输出 dram_die_stack。
  • speed token 同样优先按 family scope 匹配：DDR5 32B/36B/40B/44B、DDR3 125E、DDR2 3、DDR 6T、SDR 7E、GDDR5 50/60/70、GDDR5X 110/120/140、GDDR6 10/15 与 GDDR6X 19/20/22/23 来自官方 2023 PNS；18 同时出现在 GDDR6/GDDR6X 表中，当前不在 decodepack 中强行判定。
  • DDR3 41:* speed 额外保留 15E/125/125E/107/093 的 CL 时序：DDR3-1333 CL9、DDR3-1600 CL11/CL10、DDR3-1866 CL13、DDR3-2133 CL14。
  • 441-ball x64 Automotive LPDDR5 (family=62, package=EK) 的 -031 按 6400 Mb/s 输出 LPDDR5-6400；该分支的温度 token 使用图中范围：IT=-40°C~95°C、AT=-40°C~105°C、UT=-40°C~125°C，前置 F 输出 special_option=Functional safety features。
  • -speed、temperature、revision 后缀不是主结构强制项；缺少尾缀时仍解码 density / width / package / die stack，只减少 dram_speed / die_revision 等后缀信息。
  • Micron revision token 可带冒号分隔，例如 FAAT:B；core PN 查询、FDB lookup 和 dram-pn.json 补全按冒号等价匹配，同时保留带冒号的官方 PN 展示。
  • dram_type 必须使用跨厂商标准名，不带厂商名，不写组合候选。
  • Micron 原始 config / package token 只用于内部解析，不进入公开字段；不要把未确认的 token 硬推成封装尺寸或 ball count。
  • Crucial namespace 的 45M / 55M / 62M 这类 speed/bin token 只输出为 Crucial DDR4-45M / 55M / 62M；没有外部公开表时不推导成 JEDEC CL 或 XMP 时序。
  • 维护用来源、外部确认状态或推断来源不得进入 fields。

DDR3 / DDR3L TwinDie

Micron MT41J/MT41K TwinDie 不能只按 config token 判断。规则必须同时匹配 family + voltage + config + package token，确认后输出 dram_die_stack=2 dies, 2 CS。没有外部 datasheet 佐证的 mdb.json 候选封装只保留为待确认线索，不输出 die stack。

Key PN family die stack / CS source tier
41:J:1G4:THU / 41:J:1G4:THD MT41J1G4 2Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
41:J:512M8:THU / 41:J:512M8:THD MT41J512M8 2Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
41:J:2G4:THE / 41:J:2G4:TRF MT41J2G4 4Gb die x2 / 2 CS external_table_confirmed
41:J:1G8:THE / 41:J:1G8:TRF MT41J1G8 4Gb die x2 / 2 CS external_table_confirmed
41:K:1G4:THD / 41:K:1G4:THV MT41K1G4 2Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
41:K:512M8:THD / 41:K:512M8:THV MT41K512M8 2Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
41:K:2G4:TRF / 41:K:2G4:RKB MT41K2G4 4Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
41:K:1G8:TRF / 41:K:1G8:RKB MT41K1G8 4Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
41:K:512M16:TNA MT41K512M16 4Gb x16 die x2 / 2 CS external_confirmed
41:K:4G4:KJR MT41K4G4 8Gb die x2 / 2 CS external_table_confirmed
41:K:2G8:KJR MT41K2G8 8Gb die x2 / 2 CS external_table_confirmed
41:K:1G16:DGA MT41K1G16 8Gb x16 die x2 / 2 CS external_confirmed

反例：MT41K512M8DA-107:P 和 MT41K1G4DA-107:P 是同 family / config 下的非 TwinDie 封装，不能因为 base PN 形态相似就输出 dram_die_stack。

DDR4 TwinDie

Micron MT40A DDR4 TwinDie 同样按 family + voltage + config + package token 判定。x4/x8 TwinDie 是 two-rank / dual CS；x16 TwinDie 是 two x8 die 组合成 single-rank x16，因此公开输出分别为 2 dies, 2 CS 或 2 dies, 1 CS，结构化 die_count=2。

Key PN family die stack / CS source tier
40:A:2G4:TRF MT40A2G4 4Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
40:A:1G8:TRF MT40A1G8 4Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
40:A:4G4:FSE / 40:A:4G4:NRE MT40A4G4 8Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
40:A:2G8:FSE / 40:A:2G8:NRE MT40A2G8 8Gb die x2 / 2 CS external_confirmed
40:A:8G4:BAF / 40:A:8G4:NEA MT40A8G4 16Gb die x2 / 2 CS external_table_confirmed
40:A:4G8:BAF / 40:A:4G8:NEA MT40A4G8 16Gb die x2 / 2 CS external_table_confirmed
40:A:1G16:HBA / 40:A:1G16:WBU / 40:A:1G16:KNR MT40A1G16 x8 die x2 / 1 CS external_confirmed
40:A:2G16:TBB MT40A2G16 x8 die x2 / 1 CS external_confirmed

DDR5 大容量 configuration

Micron DDR5 仍按 depth x width 推导容量。24Gb 组件已确认 6G4 / 3G8 / 1536M16 这三类结构；32Gb 组件已确认 4G8，已有通用表也覆盖 4G4 / 2G16 等同密度结构。这里只扩展 density / width / package / speed，不因为 24Gb 或 32Gb 直接推断 stacked die：

Config 示例 输出
6G4 MT60B6G4RW-56B:B 24Gb, x4
3G8 MT60B3G8RW-64B:B 24Gb, x8
1536M16 MT60B1536M16RV-56B:B 24Gb, x16
4G8 MT60B4G8AT-64B:B 32Gb, x8

本轮未找到 Micron standalone DDR5 component 公开 datasheet 明确使用 TwinDie / DDP。MRDIMM、RDIMM 或 SOCAMM2 模块层面的多 die / 3DS 资料不进入 standalone component PN 的 dram_die_stack 规则。

封装映射

封装映射按 family token + package code 建表，不按 package code 单独全局复用；同一个封装 code 在不同产品线可能含义不同。package code 只用于内部映射，公开结果只在确认后输出实际 package。首批只纳入公开资料可交叉确认的样例映射。

Key 实际封装
40:BAF 78-ball FBGA (10.5x11)
40:FSE 78-ball FBGA (9.5x13)
40:HBA 96-ball FBGA (9.5x14)
40:KNR 96-ball FBGA (7.5x13.5)
40:NEA 78-ball FBGA (7.5x11)
40:NRE 78-ball FBGA (8x12)
40:SA 78-ball FBGA (7.5x11)
40:TBB 96-ball FBGA (7.5x13)
40:TRF 78-ball FBGA (9.5x11.5)
40:WBU 96-ball FBGA (8x14)
41:DA 78-ball FBGA (8x10.5)
41:DGA 96-ball FBGA (9.5x14)
41:KJR 78-ball FBGA (9.5x13)
41:RKB 78-ball FBGA (8x10.5)
41:THD 78-ball FBGA (9x11.5)
41:THE 78-ball FBGA (10.5x12)
41:THU 82-ball FBGA (12.5x15)
41:THV 78-ball FBGA (8x11.5)
41:TNA 96-ball FBGA (10x14)
41:TRF 78-ball FBGA (9.5x11.5)
42:LF 168-ball WFBGA (12x12)
46:B5 90-ball VFBGA (8x13)
46:P 66-pin TSOP
47:RT 84-ball FBGA (9x12.5)
48:B5 90-ball VFBGA (8x13)
48:P 54-pin TSOP II
51:HF 170-ball FBGA (12x14)
52:PF 178-ball FBGA (11.5x11)
53:FW 200-ball TFBGA (10x14.5)
58:JA 190-ball FBGA (10x14)
60:AT 78/117-ball VFBGA
60:HB 82-ball VFBGA (9x11)
60:HD 102-ball VFBGA (7.5x14)
60:RV 102/153-ball VFBGA
60:RW 78-ball VFBGA (8x11)
60:RZ 78-ball VFBGA (7.5x11)
61:JE 180-ball FBGA (12x14)
61:KPA 180-ball FBGA (12x14)
62:DS 200-ball WFBGA (10x14.5)
62:EK 441-ball TFBGA
68:DF 266-ball FBGA (12x14x1.1)

首批样例

PN 产品线 关键输出
MT40A1G8SA-075-E DDR4 SDRAM 8Gb, x8, 78-ball FBGA, DDR4-2666 CL19, Rev E
MT40A2G4TRF-093E:A DDR4 SDRAM 8Gb, x4, 78-ball FBGA, 2 dies, 2 CS, DDR4-2133 CL15, Rev A
MT40A2G8NRE-083E:B DDR4 SDRAM 16Gb, x8, 78-ball FBGA, 2 dies, 2 CS, DDR4-2400 CL16, Rev B
MT40A4G8NEA-062E:F DDR4 SDRAM 32Gb, x8, 78-ball FBGA, 2 dies, 2 CS, DDR4-3200 CL22, Rev F
MT40A1G16WBU-083E:B DDR4 SDRAM 16Gb, x16, 96-ball FBGA, 2 dies, 1 CS, DDR4-2400 CL16, Rev B
MT40A2G16TBB-062E:F DDR4 SDRAM 32Gb, x16, 96-ball FBGA, 2 dies, 1 CS, DDR4-3200 CL22, Rev F
CT40A1G8SA-62M:E Crucial DDR4 SDRAM 8Gb, x8, 78-ball FBGA, Crucial DDR4-62M, Rev E
MT60B2G8HB-48B-IT-A DDR5 SDRAM 16Gb, x8, 82-ball VFBGA, DDR5-4800B, Industrial, Rev A
MT60B3G8RW-64B:B DDR5 SDRAM 24Gb, x8, 78-ball VFBGA, DDR5-6400B, Rev B
MT60B1536M16RV-56B:B DDR5 SDRAM 24Gb, x16, 102/153-ball VFBGA, DDR5-5600B, Rev B
MT60B4G8AT-64B:B DDR5 SDRAM 32Gb, x8, 78/117-ball VFBGA, DDR5-6400B, Rev B
MT41K512M8DA-107:P DDR3 SDRAM 4Gb, x8, 78-ball FBGA, 933MHz (DDR-1866), Rev P
MT41K2G4RKB-107:P DDR3 SDRAM 8Gb, x4, 78-ball FBGA, 2 dies, 2 CS, 933MHz (DDR-1866), Rev P
MT41K1G16DGA-125:A DDR3 SDRAM 16Gb, x16, 96-ball FBGA, 2 dies, 2 CS, 800MHz (DDR-1600), Rev A
MT47H128M16RT-25E:C DDR2 SDRAM 2Gb, x16, 84-ball FBGA, DDR2-800, Rev C
MT46V32M16P-5B-IT-J DDR SDRAM 512Mb, x16, 66-pin TSOP, DDR-400, Industrial, Rev J
MT46H32M32LFB5-5 IT:B LPDDR 1Gb, x32, 90-ball VFBGA, die_count=1, 200MHz, Rev B
MT48LC16M8A2P-6A:L SDRAM 128Mb, x8, 54-pin TSOP II, 166MHz, Rev L
MT48H16M32LFB5-75:A LPSDR 512Mb, x32, 90-ball VFBGA, die_count=1, 133MHz, Rev A
MT48H16M32LGB5-75:A LPSDR 512Mb, x32, 90-ball VFBGA, die_count=1, Reduced page-size addressing, 133MHz, Rev A
MT42L128M32D1LF-25 WT:A LPDDR2 4Gb, x32, 168-ball WFBGA, die_count=1, Rev A
MT52L512M32D2PF-107 WT:B LPDDR3 16Gb, x32, 178-ball FBGA, die_count=2, Rev B
MT53E1G32D2FW-046-AIT-A LPDDR4 32Gb, x32, 200-ball TFBGA, die_count=2, 2133MHz (LPDDR4-4266), Rev A
MT62F1G32D4DS-031-WT-B LPDDR5 32Gb, x32, 200-ball WFBGA, die_count=4, 3200MHz (LPDDR5-6400), Rev B
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B LPDDR5 32Gb, x64, 441-ball TFBGA, die_count=4, 3200MHz (LPDDR5-6400), Automotive Industrial (-40°C ~ 95°C), Rev B
MT62F512M64D4EK-031 FAAT:B LPDDR5 32Gb, x64, 441-ball TFBGA, die_count=4, 3200MHz (LPDDR5-6400), Functional safety features, Rev B
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B LPDDR5 64Gb, x64, 441-ball TFBGA, die_count=8, 3200MHz (LPDDR5-6400), Automotive Ultra (-40°C ~ 125°C), Rev B
MT51J256M32HF-80:A GDDR5 8Gb, x32, 170-ball FBGA, GDDR5-8Gbps, Rev A
MT58K256M32JA-100:A GDDR5X 8Gb, x32, 190-ball FBGA, GDDR5X-10Gbps, Rev A
MT61K256M32JE-14:A GDDR6 8Gb, x32, 180-ball FBGA, GDDR6-14Gbps, Rev A
MT61K512M32KPA-24-U GDDR6X 16Gb, x32, 180-ball FBGA, GDDR6X-24Gbps, Rev U